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Clasificando los transistores FETs

Tipo: Artículo
Formato: Web
Autor: Ing. Arnoldo C. Galetto
Web: www.webelectronica.com.ar


Resumen

Los transistores de efecto de campo, en los que la circulación de corriente se realiza por un canal, comandado por un "campo" establecido en forma externa, hoy se encuentran en la mayoría de las aplicaciones en cualquiera de sus formas. En este artículo se ven los modelos más empleados y sus principales características.

Introducción

Un transistor de efecto de campo (fet) es un dispositivo semiconductor en el cual la circulación de portadores de carga en un canal entre dos terminales, denominados fuente y drenaje, se encuentra controlado por un campo transversal resultante de la aplicación de una diferencia de potencial entre uno de dichos terminales y un tercero, de control, terminal que se conoce como compuerta.
La manera en que se consigue la función de control sin la necesidad de una entrada de potencia de cc significativa, permite la clasificación de fets en dos categorías básicas, cada una de las cuales puede a su vez ser dividida.

Descripción del contenido

- Efectos de campo de juntura
- FET de compuerta aislada (IGFET)
- Descripción general en CC

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