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Diodo Gunn. Efecto Gunn

Tipo: Tutorial

Formato: Web

Autor: Ing. Marcel Nory Durán

Web: www.unicrom.com

Descripción: El efecto Gunn. Características de los diodos Gunn. Resistencia negativa.

Introducción

El efecto Gunn es una propiedad del cuerpo de los semiconductores que no depende de la unión misma, ni de los contactos, tampoco depende de los valores de voltaje y corriente y no es afectado por campos magnéticos. Fue descubierto por John B. Gunn en 1963.

El efecto Gunn es un fenómeno eficaz para la generación de oscilaciones en los materiales semiconductores, en el rango de las microondas.
Gunn observó esta característica en el Arseniuro de Galio (GaAs) y el Fósforo de Indio (InP).

Cuando se aplica un pequeño voltaje continuo a través de una plaquita delgada de Arseniuro de Galio (GaAs), ésta presenta características de resistencia negativa. Todo esto bajo la condición de que el voltaje en la plaquita sea mayor a los 3.3 voltios / cm.
 

* También te pueden interesar:
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- Dispositivos semiconductores
 

Resumen del contenido

- Efecto Gunn
- Resistencia negativa en el diodo Gunn
- Funcionamiento de resistencia positiva
- Funcionamiento de resistencia negativa.
- Curva característica Voltaje-Corriente (V-I) del diodo Gunn.
 

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