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Diodo Gunn. Efecto Gunn

Tipo: Tutorial
Formato: Web
Autor: Ing. Marcel Nory Durán
Web: www.unicrom.com


Introducción

El efecto Gunn es una propiedad del cuerpo de los semiconductores que no depende de la unión misma, ni de los contactos, tampoco depende de los valores de voltaje y corriente y no es afectado por campos magnéticos. Fue descubierto por John B. Gunn en 1963.

El efecto Gunn es un fenómeno eficaz para la generación de oscilaciones en los materiales semiconductores, en el rango de las microondas.
Gunn observó esta característica en el Arseniuro de Galio (GaAs) y el Fósforo de Indio (InP).

Resumen del contenido

- Efecto Gunn
- Resistencia negativa en el diodo Gunn
- Funcionamiento de resistencia positiva
- Funcionamiento de resistencia negativa.

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