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Física de los dispositivos bipolares: el transistor y el tiristor

Tipo: Apuntes
Formato: PDF
Autor:
Web: www.uv.es


Introducción

Los dispositivos bipolares son semiconductores que basan su proceso de conducción mediante la participación de los dos tipos de portadores de carga (electrones y huecos). Se diferencian de los dispositivos unipolares, en que estos últimos basan su proceso de conducción predominantemente en la participación de un solo tipo de portador.
La palabra “transistor” es un acrónimo que procede del inglés (transfer resistor). El transistor bipolar fue inventado en el año 1947 en los Laboratorios Bell. Desde esa fecha hasta la actualidad, el transistor ha sufrido cambios y continuas transformaciones, las cuales han revolucionado la industria y el estilo de vida actual.

Resumen del contenido

- La acción transistor.
- Modo de operación activo.
- Ganancia en corriente.
- Características estáticas de los transistores bipolares.
- Distribución de portadores
- Expresión de las corrientes terminales: modelo de Ebers-Moll
- Modos de operación
- Modificación de las características estáticas.
- Región de base gradual.
- Resistencia de base.
- Modulación de la anchura de la base.
- Corriente de saturación y tensión de ruptura.
- Fenómenos de generación-recombinación y efectos de alta inyección.
- El modelo de Ebers-Moll
- El tiristor. Características básicas.

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