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¿IGBT o MOSFET? - Electrónica de Potencia

Tipo: Artículo

Formato: Web

Autor: Mario Sacco

Web: www.neoteo.com

Descripción: Uso de transistores IGBT vs. MOSFET en aplicaciones de electrónica de potencia.

Introducción

Con la proliferación de opciones entre IGBT y MOSFET resulta cada vez más complejo, para el actual diseñador, seleccionar el mejor producto para su aplicación.
La evolución de este tipo de dispositivos, nacidos para eliminar el clásico relé de conmutación de cargas, ha llevado un lento pero continuo proceso (y progreso) pasando, entre otros, por los Transistores Bipolares (BJT), los MOSFET y luego los IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor).

En la actualidad encontramos IGBT en variadores de frecuencia, en convertidores de potencia y en grandes máquinas eléctricas.
Sin embargo, no siempre es necesaria su inclusión cuando el uso de transistores MOSFET puede resolver nuestra necesidad.
Conociendo las características elementales de estos dispositivos semiconductores, dedicados a la conmutación en sistemas electrónicos de potencia, podremos discernir qué componente se ajusta a nuestras necesidades de diseño.
 

* Información relacionada:
- Transistor IGBT
- Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)
 

Resumen del contenido

- El transistor bipolar (BJT)
- El transistor MOSFET
- Características del MOSFET IRFZ44N
- El IGBT es un híbrido entre un BJT y un MOSFET.
 

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