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Transistor de Efecto de Campo en conmutación

Tipo: Apuntes

Formato: Web

Autor:

Web: www.pablin.com.ar

Descripción: Apuntes sobre los transistores de Efecto de Campo (FET) en aplicaciones de conmutación. Los diferentes tipos de transistores FET.

Introducción

El transistor de efecto de campo se emplea en conmutación formando parte de los circuitos integrados, gracias a que ocupa una minúscula superficie de silicio y a la insignificante potencia que consume en conmutación.

Estos factores combinados permiten integrar hasta miles de estos transistores en una sola pastilla sin grandes limitaciones de disipación de calor, a lo que se suma la relativa sencillez del proceso de fabricación de los circuitos integrados con estos dispositivos. Igualmente las resistencias de estos circuitos se realizan mediante transistores de efecto de campo convenientemente polarizados, ganándose así todavía mas espacio.

Como se recordará, el principio de funcionamiento del transistor de efecto de campo o "Field Effect Transistor" (FET) se basa en el control de la resistencia que presenta un material semiconductor al paso de la corriente por medio de un campo eléctrico perpendicular a la dirección de esta ultima.

* Tema relacionado: Clasificando los transistores FET
 

Resumen del contenido

- Clasificaciones
- Transistor de efecto de campo de juntura: Junction FET o (JFET)
- Transistor de efecto de campo con electrodo de control aislado: Insulated Gate FET (IGFET).
- MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET)
- SOS (Silicon On Saphire FET)
- Silicon Gate FET
- DMOS (MOS de Doble Difusión)
- FET de canal normalmente conductor o de "vaciamiento" (Depletion FET).
- FET de canal normalmente abierto, o no conductor, o de "enriquecimiento" (enhancement FET).
- FET de Canal P
- FET de Canal N

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