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Los transistores de efecto campo

Tipo: Curso

Formato: Web

Autor:

Web: www.ifent.org

Descripción: Estructura, propiedades y funcionamiento de los transistores de efecto de campo o FET (Field Effect Transistor).

Introducción

Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja.

Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.

Un transistor de efecto campo (FET = Field Effect Transistor) típico está formado por una barrita de material p ó n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unión p-n.
 

* Tema relacionado:
- Transistores de efecto de campo
- Clasificando los transistores FETs
 

Descripción del contenido

- Estructura básica de de FET con canal N
- Símbolos gráficos para un FET de canal N.
- Símbolos gráficos para un FET de canal P.
- Disposición de las polarizaciones para un FET de canal N.
- Zonas de funcionamiento del FET
- Parámetros del FET.

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