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Transistores de efecto de campo

Tipo: Apuntes
Formato: PDF
Autor:
Web: www.eet460rafaela.edu.ar


Descripción

El transistor de efecto e campo (FET) (por las siglas en inglés de Field Effect Transistor) es un dispositivo de tres terminales que se utiliza para aplicaciones diversas que se asemejan, en una gran proporción, a las de los transistores bipolares (BJT) (por las siglas en inglés de Bipolar Junction Transistor). Aunque existen importantes diferencias entre los dos tipos de dispositivos, también es cierto que tienen muchas similitudes.
La diferencia básica entre los dos tipos de transistores es el hecho de que el transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que el transistor FET es un dispositivo controlado por tensión. En otras palabras, la corriente de colector es una función directa del nivel de la corriente de base. Para el FET la corriente de drenador es función de la tensión compuerta-surtidor aplicada al circuito de entrada.

Resumen del contenido

- William Bradford Shockley (antecedentes historicos)
- Construcción y características de los JFET
- Análisis de su funcionamiento
- Zonas de funcionamiento - Zona de saturación
- Zona de corte - Zona de ruptura
- Zona de polarización directa Puerta-Canal
- Dispositivos canal-P
- Transistores de efecto de campo de compuerta
aislada (MOS o MOSFET)
- MOSFET del tipo decremental
- MOSFET del tipo incremental
- Datos típicos de un MOSFET de enriquecimiento.
- Características de conmutación - El transistor IGBT.

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