Apuntes de Electrónica

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Transistores de Potencia

Tipo: Notas de clase
Formato: PDF
Autor:
Web: www.fceia.unr.edu.ar


Descripción

Apuntes de clase de curso de ingeniería electrónica sobre los transistores de potencia, bipolares y MOSFET. Sus características y parámetros de operación.

Resumen del contenido

- Caracterización de los transistores de potencia
- El transistor bipolar
- Parámetros máximos
- Corriente máxima de colector
- Tensiones de ruptura
- Curvas de primera ruptura
- Curva de potencia máxima
- Segunda ruptura (Second Breakdown - SB) o avalancha secundaria
- Segunda ruptura con polarización directa base-emisor.
- Curvas de la primera y de la segunda ruptura para polarización de base-emisor directa e inversa.
- Curvas de potencia máxima y segunda ruptura
- Área de operación segura (SOA)
- Área de operación segura para polarización directa (Forward Bias Safe Operating Area -
FBSOA)
- Observaciones sobre las curvas de potencia máxima
- Caracterización de los transistores de potencia - el transistor MOSFET
- Parámetros máximos - Corriente de drenaje
- Tensión de ruptura drenaje-fuente (DSS V)
- Tensión máxima (absoluta) compuerta-fuente
- Resistencia en conducción drenaje-fuente, DS (ON) R (Drain-Source ON Resistance)
- Tensión drenaje-fuente en conducción DS V ON
- Diodo inverso
- Corriente continua de drenaje inversa - DR I
- Corriente de drenaje pulsante inversa - DRM I
- Tensión de conducción directa del diodo
- Área de operación segura
- Área de operación segura en polarización directa - FBSOA
- Área de operación segura en conmutación - SSOA

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