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Transistores de Potencia

Tipo: Notas de clase

Formato: PDF

Autor:

Web: www.fceia.unr.edu.ar

Descripción: Apuntes de clase de curso de ingeniería electrónica sobre los transistores de potencia, bipolares y MOSFET. Sus características y parámetros de operación.

Introducción

El funcionamiento de los transistores de potencia es igual al de los transistores normales, con la única diferencia en las altas tensiones y corrientes que tienen que soportar y las altas potencias que deben disipar.

Una ventaja importante de los MOSFET es además que pueden colocarse directamente en paralelo para aumentar la capacidad de entregar corriente. Ya que estos poseen un coeficiente de temperatura negativo. Al aumentar la temperatura disminuye la corriente por el canal.
En el caso de los bipolares el coeficiente es positivo y se produce el fenómeno de embalamiento térmico. Por esta razón cuando se conectan bipolares en paralelo para aumentar la capacidad de entregar corriente estos deben conectase con resistencias de emisor para ecualizar y estabilizar la corriente.

* Documento similar:
- Los transistores de potencia

Resumen del contenido

- Caracterización de los transistores de potencia
- El transistor bipolar
- Parámetros máximos
- Corriente máxima de colector
- Tensiones de ruptura
- Curvas de primera ruptura
- Curva de potencia máxima
- Segunda ruptura (Second Breakdown - SB) o avalancha secundaria
- Segunda ruptura con polarización directa base-emisor.
- Curvas de la primera y de la segunda ruptura para polarización de base-emisor directa e inversa.
- Curvas de potencia máxima y segunda ruptura
- Área de operación segura (SOA)
- Área de operación segura para polarización directa (Forward Bias Safe Operating Area - FBSOA)
- Observaciones sobre las curvas de potencia máxima
- Caracterización de los transistores de potencia - el transistor MOSFET
- Parámetros máximos - Corriente de drenaje
- Tensión de ruptura drenaje-fuente (DSS V)
- Tensión máxima (absoluta) compuerta-fuente
- Resistencia en conducción drenaje-fuente, DS (ON) R (Drain-Source ON Resistance)
- Tensión drenaje-fuente en conducción DS V ON
- Diodo inverso
- Corriente continua de drenaje inversa - DR I
- Corriente de drenaje pulsante inversa - DRM I
- Tensión de conducción directa del diodo
- Área de operación segura
- Área de operación segura en polarización directa - FBSOA
- Área de operación segura en conmutación - SSOA

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