Celdas Peltier: Una alternativa para sistemas de enfriamiento con base en semiconductor

Tipo: Apuntes

Formato: PDF

Autores: Arturo P. Sandoval, Enrique Espinosa, Jorge Barahona

Web: www.utm.mx

Descripción: Apuntes de laboratorio de curso de electrónica sobre análisis experimental de las características y comportamiento de las celdas Peltier.

Introducción

Desde 1834 es conocido el efecto Peltier; no obstante, su aplicación práctica necesitó del desarrollo de los materiales semiconductores.
El efecto Peltier se caracteriza por la aparición de una diferencia de temperaturas entre las dos caras de un semiconductor cuando por él circula una corriente.
Una celda Peltier está conformada por dos materiales semiconductores uno tipo P y otro tipo N, produciéndose internamente el así llamado efecto termoeléctrico de Peltier.
Por lo general dichas celdas están fabricadas con Bismuto para la cara del semiconductor tipo P y Telurio para la cara tipo N.

En éste trabajo se realiza la caracterización en voltaje, corriente y temperaturas de una celda Peltier cuyos parámetros son los siguientes: tensión máxima de 6V, corriente máxima de 2.5 A, los cuales provocan una diferencia de temperaturas ∆T=35ºC entre la cara caliente y la cara fría de la celda.
 

Resumen del contenido

- Diagrama de la estructura interna de una celda Peltier
- Corte transversal de la celda Peltier donde se muestran los elementos semiconductores.
- Comportamiento de temperaturas tanto en la cara fría como cara caliente de la celda Peltier.
- Corriente a través de la celda contra el tiempo para diferentes valores de voltaje de alimentación.
- Metodología de la prueba.
- Resultados - Conclusiones.
 

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