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Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)

Tipo: Apuntes

Formato: PDF

Autor:

Web: www.gte.us.es

Descripción: Características de fabricación y funcionamiento de los transistores bipolares de compuerta aislada o IGBT.

Introducción

Apuntes sobre las características de construcción y funcionamiento de los transistores bipolares de compuerta aislada o IGBT (Isolated Gate Bipolar Transistor).

Desarrollados en la década de los años 80 y utilizados hoy en día en muchas aplicaciones de conmutación debido entre otras cosas a que pueden manejar tensiones y corrientes superiores a las manejadas por la tecnología MOS.

* Información relacionada:
- Transistor IGBT
- Chequeo de transistores Bipolares, MosFet e IGBT
 

Resumen del contenido

- Tecnologías de fabricación y curva característica I-V
- Funcionamiento del transistor IGBT
- Transistores IGBT de potencia modernos: "Transistores en Trinchera"
- Circuito equivalente aproximado del IGBT
- Estado de bloqueo
- Estado de conducción
- Efecto de cebado del tiristor parásito interno de IGBT
- Efecto Latch up
- Métodos para evitar el efecto del Latch Up
- Características de conmutación
- Encendido - Apagado
- Area de operación segura
- Curva característica estática de un transistor IGBT de canal n
- Características y valores límite del IGBT.

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