Apuntes de Electrónica

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Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)

Tipo: Apuntes
Formato: PDF
Autor:
Web: www.gte.us.es


Descripción

Apuntes sobre las características de construcción y funcionamiento de los transistores bipolares de compuerta aislada o IGBT (Isolated Gate Bipolar Transistor). Desarroyados en la década de los años 80 y utilizados hoy en día en muchas aplicaciones de conmutación debido entre otras cosas a que pueden manejar tensiones y corrientes superiores a las manejadas por la tecnología MOS.

Resumen del contenido

- Tecnologías de fabricación y curva característica I-V
- Funcionamiento del transistor IGBT
- Estado de bloqueo
- Estado de conducción
- Efecto de cebado del tiristor parásito interno de IGBT
- Efecto Latch up
- Métodos para evitar el efecto del Latch Up
- Características de conmutación
- Encendido - Apagado
- Area de operación segura
- Característicvas y valores límite del IGBT.

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